megvesz BLA6G1011-200R,112 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
BLA6G1011-200R,112
- Cikkszám:
- BLA6G1011-200R,112
- Gyártó:
- Ampleon
- Leírás:
- RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 19855 Pieces
- Adatlap:
- BLA6G1011-200R,112.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója BLA6G1011-200R,112, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét BLA6G1011-200R,112 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - teszt: | 28V |
|---|---|
| Feszültség - névleges: | 65V |
| Tranzisztor típusú: | LDMOS |
| Szállító eszközcsomag: | LDMOST |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény: | 200W |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | SOT-502A |
| Más nevek: | 568-7544 934063602112 BLA6G1011-200R,112-ND BLA6G1011200R112 |
| Zaj kép: | - |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 13 Weeks |
| Gyártási szám: | BLA6G1011-200R,112 |
| Nyereség: | 20dB |
| Frekvencia: | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| Bővített leírás: | RF Mosfet LDMOS 28V 100mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 20dB 200W LDMOST |
| Leírás: | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A |
| Jelenlegi értékelés: | 49A |
| Jelenlegi - teszt: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az BLA6G1011-200R,112-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
A2G22S160-01SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Vizsgálat |
 |
BLA6G1011L-200RG,1 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D | Vizsgálat |
 |
BLA6G1011LS-200RG, | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C | Vizsgálat |
 |
PTFA082201EV4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 894MHZ H-36260-2 | Vizsgálat |
 |
BLF2425M7L140,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A | Vizsgálat |
 |
ATF-331M4-BLK | Broadcom Limited | IC PHEMT LOW NOISE 2GHZ MINIPAK | Vizsgálat |
|
MRF6S21140HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.12GHZ NI-880S | Vizsgálat |
 |
MMBF4416LT1G | ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 15MA SOT23 | Vizsgálat |
|
MRFE6S9201HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-780S | Vizsgálat |
 |
MRFE6S9046GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 960MHZ TO-270-4 | Vizsgálat |
 |
MRFE6VP6600NR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 600W 50V | Vizsgálat |
|
MRF5S21150HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog