megvesz APT33GF120LRDQ2G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
APT33GF120LRDQ2G
- Cikkszám:
- APT33GF120LRDQ2G
- Gyártó:
- Microsemi
- Leírás:
- IGBT 1200V 64A 357W TO264
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 13373 Pieces
- Adatlap:
- APT33GF120LRDQ2G.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója APT33GF120LRDQ2G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét APT33GF120LRDQ2G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 3V @ 15V, 25A |
| Teszt állapot: | 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (be / ki) @ 25 ° C: | 14ns/185ns |
| Energiaváltás: | 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-264 [L] |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény - Max: | 357W |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-264-3, TO-264AA |
| Más nevek: | APT33GF120LRDQ2GMI APT33GF120LRDQ2GMI-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | APT33GF120LRDQ2G |
| Bemeneti típus: | Standard |
| IGBT típus: | NPT |
| Gate Charge: | 170nC |
| Bővített leírás: | IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole TO-264 [L] |
| Leírás: | IGBT 1200V 64A 357W TO264 |
| Jelenlegi - kollektoros impulzusos (Icm): | 75A |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 64A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az APT33GF120LRDQ2G-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
STGW35HF60W | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 200W TO247 | Vizsgálat |
 |
IXBH14N250A | IXYS | IGBT 2500V TO247AD | Vizsgálat |
|
IXGH40N60A3D1 | IXYS | IGBT 600V TO-247 | Vizsgálat |
|
IXXH40N65B4H1 | IXYS | IGBT 650V 120A 455W TO247AD | Vizsgálat |
 |
APT33GF120BRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 52A 297W TO247 | Vizsgálat |
 |
APT33N90JCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Vizsgálat |
|
IXGH30N60B | IXYS | IGBT 600V 60A 200W TO247AD | Vizsgálat |
 |
APT33GF120B2RDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TMAX | Vizsgálat |
 |
RJH60F0DPK-00#T0 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P | Vizsgálat |
|
IXGH30N120C3H1 | IXYS | IGBT 1200V 48A 250W TO247AD | Vizsgálat |
|
APT33N90JCCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Vizsgálat |
|
APT33N90JCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Vizsgálat |
|
APT33N90JCCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Vizsgálat |
 |
IRGIB4630DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 47A 206W TO220 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog