megvesz APT33GF120B2RDQ2G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
APT33GF120B2RDQ2G
- Cikkszám:
- APT33GF120B2RDQ2G
- Gyártó:
- Microsemi
- Leírás:
- IGBT 1200V 64A 357W TMAX
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 12397 Pieces
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója APT33GF120B2RDQ2G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét APT33GF120B2RDQ2G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 3V @ 15V, 25A |
| Teszt állapot: | 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (be / ki) @ 25 ° C: | 14ns/185ns |
| Energiaváltás: | 1.315µJ (on), 1.515µJ (off) |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény - Max: | 357W |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-247-3 Variant |
| Más nevek: | APT33GF120B2RDQ2GMI APT33GF120B2RDQ2GMI-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 22 Weeks |
| Gyártási szám: | APT33GF120B2RDQ2G |
| Bemeneti típus: | Standard |
| IGBT típus: | NPT |
| Gate Charge: | 170nC |
| Bővített leírás: | IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole |
| Leírás: | IGBT 1200V 64A 357W TMAX |
| Jelenlegi - kollektoros impulzusos (Icm): | 75A |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 64A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az APT33GF120B2RDQ2G-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
APT33GF120BRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 52A 297W TO247 | Vizsgálat |
 |
APT33N90JCCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Vizsgálat |
 |
APT33GF120LRDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TO264 | Vizsgálat |
|
APT33N90JCCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Vizsgálat |
 |
IRGP6660D-EPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 60A TO247AD | Vizsgálat |
 |
STGB10NB37LZ | STMicroelectronics | IGBT 440V 20A 125W D2PAK | Vizsgálat |
 |
IXXH30N60B3 | IXYS | IGBT 600V TO247 | Vizsgálat |
 |
IXXK200N60C3 | IXYS | IGBT 600V 340A 1630W TO264 | Vizsgálat |
|
IXGH12N60C | IXYS | IGBT 600V 24A 100W TO247AD | Vizsgálat |
|
APT33N90JCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Vizsgálat |
|
APT33N90JCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Vizsgálat |
 |
FGPF30N30TTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 300V 44.6W TO220F | Vizsgálat |
 |
AOT15B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 30A 167W TO220 | Vizsgálat |
 |
IRG4BC30KDPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 28A 100W TO220AB | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog