megvesz A2I08H040NR1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
A2I08H040NR1
- Cikkszám:
- A2I08H040NR1
- Leírás:
- IC RF LDMOS AMP
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 12468 Pieces
- Adatlap:
- A2I08H040NR1.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója A2I08H040NR1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét A2I08H040NR1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - teszt: | 28V |
|---|---|
| Feszültség - névleges: | 65V |
| Tranzisztor típusú: | LDMOS (Dual) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-270WB-15 |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény: | 9W |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-270-15 Variant, Flat Leads |
| Más nevek: | 935316301528 |
| Zaj kép: | - |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 10 Weeks |
| Gyártási szám: | A2I08H040NR1 |
| Nyereség: | 30.7dB |
| Frekvencia: | 920MHz |
| Bővített leírás: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 25mA 920MHz 30.7dB 9W TO-270WB-15 |
| Leírás: | IC RF LDMOS AMP |
| Jelenlegi értékelés: | - |
| Jelenlegi - teszt: | 25mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az A2I08H040NR1-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA212401F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 | Vizsgálat |
 |
MRFE6S9130HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-780 | Vizsgálat |
 |
PTFA081501E1V4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-36248-2 | Vizsgálat |
 |
2N5951 | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 13MA TO92 | Vizsgálat |
|
MRF8S21100HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780HS | Vizsgálat |
 |
BLF10H6600PSU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B | Vizsgálat |
 |
BLF7G27L-75P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A | Vizsgálat |
 |
A2I08H040GNR1 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS AMP | Vizsgálat |
 |
BLF6G10LS-135RN,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | Vizsgálat |
 |
NE350184C | CEL | FET RF 4V 20GHZ MICRO-X | Vizsgálat |
 |
BLF8G09LS-400PGWJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C | Vizsgálat |
|
MRF7S18125AHR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI780 | Vizsgálat |
 |
MRFE6S9200HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-880 | Vizsgálat |
|
BLL6H1214LS-250,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog