megvesz A2I08H040GNR1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
A2I08H040GNR1
- Cikkszám:
- A2I08H040GNR1
- Leírás:
- IC RF LDMOS AMP
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 18222 Pieces
- Adatlap:
- A2I08H040GNR1.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója A2I08H040GNR1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét A2I08H040GNR1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - teszt: | 28V |
|---|---|
| Feszültség - névleges: | 65V |
| Tranzisztor típusú: | LDMOS (Dual) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-270WBG-15 |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény: | 9W |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-270-15 Variant, Gull Wing |
| Más nevek: | 935320823528 |
| Zaj kép: | - |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 10 Weeks |
| Gyártási szám: | A2I08H040GNR1 |
| Nyereség: | 30.7dB |
| Frekvencia: | 920MHz |
| Bővített leírás: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 25mA 920MHz 30.7dB 9W TO-270WBG-15 |
| Leírás: | IC RF LDMOS AMP |
| Jelenlegi értékelés: | - |
| Jelenlegi - teszt: | 25mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az A2I08H040GNR1-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFB193408SVV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2 | Vizsgálat |
 |
BLF2425M7L250P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539A | Vizsgálat |
 |
BLF878,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 89V 21DB SOT979A | Vizsgálat |
 |
BLF6G27-135,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502A | Vizsgálat |
 |
NE3514S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | Vizsgálat |
 |
A2I08H040NR1 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS AMP | Vizsgálat |
 |
MRF6V13250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI780S | Vizsgálat |
|
MRF9045LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ NI-360S | Vizsgálat |
|
PTRA093302DC V1 R250 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4 | Vizsgálat |
 |
NE3515S02-T1D-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Vizsgálat |
|
PTFC270051MV2R1KXUMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Vizsgálat |
 |
BLF647P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog