megvesz ZXMN10A07FTC BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
ZXMN10A07FTC
- Cikkszám:
- ZXMN10A07FTC
- Gyártó:
- Diodes Incorporated
- Leírás:
- MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 12158 Pieces
- Adatlap:
- ZXMN10A07FTC.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója ZXMN10A07FTC, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét ZXMN10A07FTC e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | SOT-23-3 |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 700 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 625mW (Ta) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | ZXMN10A07FTC |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 138pF @ 50V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.9nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 100V 700mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 100V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 700mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az ZXMN10A07FTC-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN10A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6 | Vizsgálat |
 |
ZXMN10A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | Vizsgálat |
 |
ZXMN10A09KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 5A DPAK | Vizsgálat |
|
ZXMN10A08E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6 | Vizsgálat |
 |
ZXMN10A08GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 | Vizsgálat |
|
ZXMN10A25K | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK | Vizsgálat |
|
ZXMN10A11GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 | Vizsgálat |
 |
ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 | Vizsgálat |
|
ZXMN10B08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6 | Vizsgálat |
 |
ZXMN10A08DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC | Vizsgálat |
|
ZXMN10A08DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC | Vizsgálat |
|
ZXMN10B08E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers