megvesz VSSB410S-M3/5BT BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
VSSB410S-M3/5BT
- Cikkszám:
- VSSB410S-M3/5BT
- Leírás:
- DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 14882 Pieces
- Adatlap:
- VSSB410S-M3/5BT.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója VSSB410S-M3/5BT, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét VSSB410S-M3/5BT e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 770mV @ 4A |
|---|---|
| Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max): | 100V |
| Szállító eszközcsomag: | DO-214AA (SMB) |
| Sebesség: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sorozat: | TMBS® |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | DO-214AA, SMB |
| Más nevek: | VSSB410SM35BT |
| Működési hőmérséklet - csatlakozás: | -40°C ~ 150°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 26 Weeks |
| Gyártási szám: | VSSB410S-M3/5BT |
| Bővített leírás: | Diode Schottky 100V 1.9A Surface Mount DO-214AA (SMB) |
| Diódatípus: | Schottky |
| Leírás: | DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 250µA @ 100V |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io): | 1.9A |
| Capacitance @ Vr, F: | 230pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az VSSB410S-M3/5BT-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
VSSB410S-M3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA | Vizsgálat |
|
VSSB420S-M3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA | Vizsgálat |
|
VSSB410S-E3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA | Vizsgálat |
|
VSSB410S-E3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA | Vizsgálat |
 |
VS-SD803C04S10C | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE MODULE 400V 845A B-43 | Vizsgálat |
 |
HFA25TB60STRL | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 25A D2PAK | Vizsgálat |
 |
SE10DDHM3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 3A TO263AC | Vizsgálat |
|
VSSB420S-M3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA | Vizsgálat |
 |
CD1408-FU1200 | Bourns Inc. | DIODE GEN PURP 200V 1A 1408 | Vizsgálat |
 |
FR12D05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 12A DO4 | Vizsgálat |
 |
CMSH3-40MA TR13 | Central Semiconductor Corp | DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog