VQ1006P-E3
Cikkszám:
VQ1006P-E3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
13460 Pieces
Adatlap:
VQ1006P-E3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója VQ1006P-E3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét VQ1006P-E3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz VQ1006P-E3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Szállító eszközcsomag:14-DIP
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:4.5 Ohm @ 1A, 10V
Teljesítmény - Max:2W
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:-
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:15 Weeks
Gyártási szám:VQ1006P-E3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:60pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:-
FET típus:4 N-Channel
FET funkció:Logic Level Gate
Bővített leírás:Mosfet Array 4 N-Channel 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):90V
Leírás:MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:400mA
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások