TPW4R50ANH,L1Q
TPW4R50ANH,L1Q
Cikkszám:
TPW4R50ANH,L1Q
Gyártó:
Toshiba Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
17521 Pieces
Adatlap:
TPW4R50ANH,L1Q.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója TPW4R50ANH,L1Q, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét TPW4R50ANH,L1Q e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz TPW4R50ANH,L1Q BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:8-DSOP Advance
Sorozat:U-MOSVIII-H
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:4.5 mOhm @ 46A, 10V
Teljesítményleadás (Max):800mW (Ta), 142W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-PowerWDFN
Más nevek:TPW4R50ANH,L1Q(M
TPW4R50ANHL1QTR
Üzemi hőmérséklet:150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:12 Weeks
Gyártási szám:TPW4R50ANH,L1Q
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:5200pF @ 50V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:58nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 100V 92A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):100V
Leírás:MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:92A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások