megvesz TPN2010FNH,L1Q BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 200µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Sorozat: | U-MOSVIII-H |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 198 mOhm @ 2.8A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | 8-PowerVDFN |
Más nevek: | TPN2010FNH,L1Q(M TPN2010FNHL1QTR |
Üzemi hőmérséklet: | 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 12 Weeks |
Gyártási szám: | TPN2010FNH,L1Q |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 600pF @ 100V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 250V 5.6A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 250V |
Leírás: | MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 5.6A (Ta) |
Email: | [email protected] |