TK6P65W,RQ
TK6P65W,RQ
Cikkszám:
TK6P65W,RQ
Gyártó:
Toshiba Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
19693 Pieces
Adatlap:
TK6P65W,RQ.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója TK6P65W,RQ, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét TK6P65W,RQ e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz TK6P65W,RQ BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 180µA
Vgs (Max):±30V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:DPAK
Sorozat:DTMOSIV
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
Teljesítményleadás (Max):60W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Más nevek:TK6P65W,RQ(S
TK6P65WRQTR
Üzemi hőmérséklet:150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:16 Weeks
Gyártási szám:TK6P65W,RQ
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:390pF @ 300V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 650V 5.8A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):650V
Leírás:MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:5.8A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások