megvesz TK11P65W,RQ BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 450µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | DPAK |
Sorozat: | DTMOSIV |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 440 mOhm @ 5.5A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 100W (Tc) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Más nevek: | TK11P65W,RQ(S TK11P65WRQTR |
Üzemi hőmérséklet: | 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 16 Weeks |
Gyártási szám: | TK11P65W,RQ |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 890pF @ 300V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 650V 11.1A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 650V |
Leírás: | MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 11.1A (Ta) |
Email: | [email protected] |