TK11A55D(STA4,Q,M)
TK11A55D(STA4,Q,M)
Cikkszám:
TK11A55D(STA4,Q,M)
Gyártó:
Toshiba Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
12950 Pieces
Adatlap:
1.TK11A55D(STA4,Q,M).pdf2.TK11A55D(STA4,Q,M).pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója TK11A55D(STA4,Q,M), rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét TK11A55D(STA4,Q,M) e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz TK11A55D(STA4,Q,M) BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-220SIS
Sorozat:π-MOSVII
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:630 mOhm @ 5.5A, 10V
Teljesítményleadás (Max):45W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-220-3 Full Pack
Más nevek:TK11A55D(STA4QM)
TK11A55DSTA4QM
Üzemi hőmérséklet:150°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:24 Weeks
Gyártási szám:TK11A55D(STA4,Q,M)
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1350pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 550V 11A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):550V
Leírás:MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások