megvesz TK10A60W,S4X BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
TK10A60W,S4X
- Cikkszám:
- TK10A60W,S4X
- Gyártó:
- Toshiba Semiconductor
- Leírás:
- MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 12020 Pieces
- Adatlap:
- TK10A60W,S4X.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója TK10A60W,S4X, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét TK10A60W,S4X e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.7V @ 500µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-220 |
| Sorozat: | DTMOSIV |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 30W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-220-3 Full Pack |
| Más nevek: | TK10A60WS4X |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 8 Weeks |
| Gyártási szám: | TK10A60W,S4X |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 720pF @ 300V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 600V 9.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 600V |
| Leírás: | MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 9.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az TK10A60W,S4X-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
TK10A60E,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V TO220SIS | Vizsgálat |
|
TK10A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS | Vizsgálat |
|
TK10A60W5,S5VX | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS | Vizsgálat |
 |
IRFU5305PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK | Vizsgálat |
 |
TK10A60D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS | Vizsgálat |
|
TK10A80W,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220-3 | Vizsgálat |
|
TK10A50D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 500V 10A TO-220SIS | Vizsgálat |
 |
BUZ73 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB | Vizsgálat |
|
TK10A80E,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 800V TO220SIS | Vizsgálat |
|
TK10A55D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog