megvesz STI14NM65N BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
STI14NM65N
- Cikkszám:
- STI14NM65N
- Gyártó:
- ST
- Leírás:
- MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 18093 Pieces
- Adatlap:
- STI14NM65N.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója STI14NM65N, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét STI14NM65N e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | I2PAK |
| Sorozat: | MDmesh™ II |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 125W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Üzemi hőmérséklet: | 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | STI14NM65N |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1300pF @ 50V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 45nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 650V 12A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 650V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az STI14NM65N-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF7467 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | Vizsgálat |
 |
IXFH102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 | Vizsgálat |
 |
STH270N8F7-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 | Vizsgálat |
 |
IRFD120 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP | Vizsgálat |
 |
STI14NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N CH 500V 12A I2PAK | Vizsgálat |
 |
IPB60R280C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263 | Vizsgálat |
 |
FDP8441_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB | Vizsgálat |
 |
STU6N90K5 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3 | Vizsgálat |
|
IRL3716STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK | Vizsgálat |
|
SPB80N08S2L-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK | Vizsgálat |
 |
FQD1N50TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK | Vizsgálat |
 |
BUK9612-55B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog