STD10NM65N
STD10NM65N
Cikkszám:
STD10NM65N
Gyártó:
ST
Leírás:
MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
16074 Pieces
Adatlap:
STD10NM65N.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója STD10NM65N, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét STD10NM65N e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz STD10NM65N BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:D-Pak
Sorozat:MDmesh™ II
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:480 mOhm @ 4.5A, 10V
Teljesítményleadás (Max):90W (Tc)
Csomagolás:Original-Reel®
Csomagolás / tok:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Más nevek:497-7957-6
Üzemi hőmérséklet:150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:26 Weeks
Gyártási szám:STD10NM65N
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:850pF @ 50V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 650V 9A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D-Pak
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):650V
Leírás:MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások