SSM6K217FE,LF
SSM6K217FE,LF
Cikkszám:
SSM6K217FE,LF
Gyártó:
Toshiba Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15593 Pieces
Adatlap:
SSM6K217FE,LF.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SSM6K217FE,LF, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SSM6K217FE,LF e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SSM6K217FE,LF BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:1.2V @ 1mA
Vgs (Max):±12V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:ES6
Sorozat:U-MOSVII-H
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:195 mOhm @ 1A, 8V
Teljesítményleadás (Max):500mW (Ta)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:SOT-563, SOT-666
Más nevek:SSM6K217FE,LF(A
SSM6K217FELFTR
Üzemi hőmérséklet:150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:12 Weeks
Gyártási szám:SSM6K217FE,LF
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:130pF @ 10V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:1.1nC @ 4.2V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 40V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):1.8V, 8V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):40V
Leírás:MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:1.8A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások