SQM60030E_GE3
SQM60030E_GE3
Cikkszám:
SQM60030E_GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
13446 Pieces
Adatlap:
SQM60030E_GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SQM60030E_GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SQM60030E_GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SQM60030E_GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:D²PAK (TO-263)
Sorozat:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:3.2 mOhm @ 30A, 10V
Teljesítményleadás (Max):375W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Más nevek:SQM60030E_GE3TR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:18 Weeks
Gyártási szám:SQM60030E_GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:12000pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:165nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 80V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):80V
Leírás:MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások