megvesz SQJQ906EL-T1_GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
SQJQ906EL-T1_GE3
- Cikkszám:
- SQJQ906EL-T1_GE3
- Gyártó:
- Vishay / Siliconix
- Leírás:
- MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 19244 Pieces
- Adatlap:
- SQJQ906EL-T1_GE3.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SQJQ906EL-T1_GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SQJQ906EL-T1_GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Szállító eszközcsomag: | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 4.3 mOhm @ 5A, 10V |
| Teljesítmény - Max: | 187W |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Más nevek: | SQJQ906EL-T1_GE3TR |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 15 Weeks |
| Gyártási szám: | SQJQ906EL-T1_GE3 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 3238pF @ 20V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 45nC @ 10V |
| FET típus: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET funkció: | Standard |
| Bővített leírás: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 160A (Tc) 187W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 40V |
| Leírás: | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 160A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SQJQ906EL-T1_GE3-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
SQJQ900E-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8 | Vizsgálat |
 |
SH8J31GZETB | Rohm Semiconductor | 60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET | Vizsgálat |
|
SI4808DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC | Vizsgálat |
 |
DMN2013UFX-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN | Vizsgálat |
 |
SI5902BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 | Vizsgálat |
 |
DI9956T | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC | Vizsgálat |
|
SQJQ904E-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8 | Vizsgálat |
 |
NTHC5513T1 | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET | Vizsgálat |
|
SI6963BDQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP | Vizsgálat |
 |
FC8V33030L | Panasonic Electronic Components | MOSFET 2N-CH 33V 6.5A WMINI8 | Vizsgálat |
 |
AO8807 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2P-CH 12V 6.5A 8TSSOP | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog