SQJ992EP-T1_GE3
SQJ992EP-T1_GE3
Cikkszám:
SQJ992EP-T1_GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
17154 Pieces
Adatlap:
SQJ992EP-T1_GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SQJ992EP-T1_GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SQJ992EP-T1_GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SQJ992EP-T1_GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Szállító eszközcsomag:PowerPAK® SO-8 Dual
Sorozat:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:56.2 mOhm @ 3.7A, 10V
Teljesítmény - Max:34W
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:PowerPAK® SO-8 Dual
Más nevek:SQJ992EP-T1-GE3
SQJ992EP-T1-GE3-ND
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:18 Weeks
Gyártási szám:SQJ992EP-T1_GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:446pF @ 30V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
FET típus:2 N-Channel (Dual)
FET funkció:Standard
Bővített leírás:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):60V
Leírás:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:15A
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások