SQ4920EY-T1_GE3
Cikkszám:
SQ4920EY-T1_GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14854 Pieces
Adatlap:
SQ4920EY-T1_GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SQ4920EY-T1_GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SQ4920EY-T1_GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SQ4920EY-T1_GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Szállító eszközcsomag:8-SO
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:14.5 mOhm @ 6A, 10V
Teljesítmény - Max:4.4W
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Más nevek:SQ4920EY-T1-GE3
SQ4920EY-T1-GE3-ND
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:18 Weeks
Gyártási szám:SQ4920EY-T1_GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1465pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
FET típus:2 N-Channel (Dual)
FET funkció:Logic Level Gate
Bővített leírás:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 4.4W Surface Mount 8-SO
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:8A
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások