megvesz SPP11N60C3XKSA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
SPP11N60C3XKSA1
- Cikkszám:
- SPP11N60C3XKSA1
- Leírás:
- MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 17513 Pieces
- Adatlap:
- SPP11N60C3XKSA1.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SPP11N60C3XKSA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SPP11N60C3XKSA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 500µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-TO220-3-1 |
| Sorozat: | CoolMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 7A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 125W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-220-3 |
| Más nevek: | SP000681040 SPP11N60C3 SPP11N60C3BKSA1 SPP11N60C3IN SPP11N60C3IN-ND SPP11N60C3X SPP11N60C3XIN SPP11N60C3XIN-ND SPP11N60C3XK |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 8 Weeks |
| Gyártási szám: | SPP11N60C3XKSA1 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 650V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SPP11N60C3XKSA1-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB09N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | Vizsgálat |
 |
SPP11N60CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 | Vizsgálat |
 |
SPP11N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Vizsgálat |
|
SPP11N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 | Vizsgálat |
|
SPP11N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 | Vizsgálat |
|
SPP11N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB | Vizsgálat |
 |
IXTV26N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220 | Vizsgálat |
 |
AOB14N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK | Vizsgálat |
|
AUIRFS3306TRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK | Vizsgálat |
 |
TPCP8004(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8 | Vizsgálat |
|
SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog