megvesz SPP07N65C3HKSA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
SPP07N65C3HKSA1
- Cikkszám:
- SPP07N65C3HKSA1
- Leírás:
- MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 16663 Pieces
- Adatlap:
- SPP07N65C3HKSA1.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SPP07N65C3HKSA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SPP07N65C3HKSA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 350µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-TO220-3-1 |
| Sorozat: | CoolMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 83W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-220-3 |
| Más nevek: | SP000014631 SPP07N65C3 SPP07N65C3-ND SPP07N65C3IN SPP07N65C3IN-ND SPP07N65C3X SPP07N65C3XK |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | SPP07N65C3HKSA1 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 790pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 650V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 650V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SPP07N65C3HKSA1-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
STP4NK80Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220 | Vizsgálat |
 |
SPP07N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Vizsgálat |
 |
SPP07N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220 | Vizsgálat |
|
SPP07N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220AB | Vizsgálat |
|
SPP07N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Vizsgálat |
|
SPP07N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Vizsgálat |
|
SPP07N60S5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB | Vizsgálat |
|
SPP07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB | Vizsgálat |
 |
STD90N4F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK | Vizsgálat |
 |
IPB80P04P4L06ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO263-3 | Vizsgálat |
 |
TK16C60W,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers