megvesz SPP04N50C3HKSA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 200µA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | PG-TO220-3-1 |
Sorozat: | CoolMOS™ |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 50W (Tc) |
Csomagolás: | Tube |
Csomagolás / tok: | TO-220-3 |
Más nevek: | SPP04N50C3 SPP04N50C3IN SPP04N50C3IN-ND SPP04N50C3X SPP04N50C3XK SPP04N50C3XTIN SPP04N50C3XTIN-ND |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Through Hole |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | SPP04N50C3HKSA1 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 470pF @ 25V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 560V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 560V |
Leírás: | MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-220AB |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 4.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |