megvesz SPI11N65C3XKSA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
SPI11N65C3XKSA1
- Cikkszám:
- SPI11N65C3XKSA1
- Leírás:
- MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 14371 Pieces
- Adatlap:
- SPI11N65C3XKSA1.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SPI11N65C3XKSA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SPI11N65C3XKSA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 500µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-TO262-3-1 |
| Sorozat: | CoolMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 7A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 125W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Más nevek: | SP000680994 SPI11N65C3 SPI11N65C3-ND SPI11N65C3IN SPI11N65C3IN-ND SPI11N65C3X SPI11N65C3XK |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 8 Weeks |
| Gyártási szám: | SPI11N65C3XKSA1 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 650V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SPI11N65C3XKSA1-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
SPI11N60S5BKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 | Vizsgálat |
 |
2SK2989,F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | Vizsgálat |
 |
IRLML6244TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23 | Vizsgálat |
 |
SI1012R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A | Vizsgálat |
|
SPI11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | Vizsgálat |
|
SPI11N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 | Vizsgálat |
 |
IXTX1R4N450HV | IXYS | 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR | Vizsgálat |
|
SPI11N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | Vizsgálat |
|
SPI11N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | Vizsgálat |
 |
IRFR4105ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | Vizsgálat |
 |
SI2303CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3 | Vizsgálat |
 |
SQ7414AEN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8 | Vizsgálat |
 |
STW3N170 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 1700 V, 7 OHM TYP., 2. | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog