megvesz SPD07N60C3T BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
SPD07N60C3T
- Cikkszám:
- SPD07N60C3T
- Leírás:
- MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 14471 Pieces
- Adatlap:
- SPD07N60C3T.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SPD07N60C3T, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SPD07N60C3T e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 350µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-TO252-3 |
| Sorozat: | CoolMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 83W (Tc) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Más nevek: | SP000013730 SPD07N60C3XTINTR |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | SPD07N60C3T |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 790pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 650V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 650V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SPD07N60C3T-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
SPD07N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Vizsgálat |
 |
SPD07N60C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK | Vizsgálat |
|
SPD07N60S5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK | Vizsgálat |
|
SPD07N20GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A TO252 | Vizsgálat |
 |
ZXMN10A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | Vizsgálat |
 |
SIR876DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8 | Vizsgálat |
|
SPD07N60S5T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK | Vizsgálat |
 |
FDP12N50NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220 | Vizsgálat |
 |
STV160NF03LAT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 | Vizsgálat |
|
SPD07N20 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A TO-252 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog