megvesz SPD04N60S5BTMA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
SPD04N60S5BTMA1
- Cikkszám:
- SPD04N60S5BTMA1
- Leírás:
- MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 15485 Pieces
- Adatlap:
- SPD04N60S5BTMA1.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SPD04N60S5BTMA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SPD04N60S5BTMA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 200µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-TO252-3 |
| Sorozat: | CoolMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 50W (Tc) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Más nevek: | SP000313946 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | SPD04N60S5BTMA1 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 580pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 22.9nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 600V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 600V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 4.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SPD04N60S5BTMA1-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
SPD04P10PGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3 | Vizsgálat |
|
SPD04N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK | Vizsgálat |
|
SPD04N60S5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252 | Vizsgálat |
|
SPD04N60C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK | Vizsgálat |
|
SPD04N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK | Vizsgálat |
|
SPD04N50C3T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK | Vizsgálat |
 |
IPI90R1K2C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262 | Vizsgálat |
|
SPD04N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A 3TO252 | Vizsgálat |
 |
NTA4153NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416 | Vizsgálat |
 |
SPD04N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Vizsgálat |
 |
IXFK88N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 88A TO-264 | Vizsgálat |
|
SPD04P10PLGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3 | Vizsgálat |
|
SPD04N80C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A TO-252 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog