megvesz SIZ902DT-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
---|---|
Szállító eszközcsomag: | 8-PowerPair® |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 12 mOhm @ 13.8A, 10V |
Teljesítmény - Max: | 29W, 66W |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | 8-PowerWDFN |
Más nevek: | SIZ902DT-T1-GE3TR SIZ902DTT1GE3 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 24 Weeks |
Gyártási szám: | SIZ902DT-T1-GE3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 790pF @ 15V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 21nC @ 10V |
FET típus: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET funkció: | Logic Level Gate |
Bővített leírás: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A 29W, 66W Surface Mount 8-PowerPair® |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
Leírás: | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 16A |
Email: | [email protected] |