SISA10DN-T1-GE3
SISA10DN-T1-GE3
Cikkszám:
SISA10DN-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
18084 Pieces
Adatlap:
SISA10DN-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SISA10DN-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SISA10DN-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SISA10DN-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):+20V, -16V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PowerPAK® 1212-8
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:3.7 mOhm @ 10A, 10V
Teljesítményleadás (Max):3.6W (Ta), 39W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:PowerPAK® 1212-8
Más nevek:SISA10DN-T1-GE3TR
SISA10DNT1GE3
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:22 Weeks
Gyártási szám:SISA10DN-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:2425pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:51nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 30V 30A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások