SIS435DNT-T1-GE3
SIS435DNT-T1-GE3
Cikkszám:
SIS435DNT-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14409 Pieces
Adatlap:
SIS435DNT-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SIS435DNT-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SIS435DNT-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SIS435DNT-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:900mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PowerPAK® 1212-8
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:5.4 mOhm @ 13A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):3.7W (Ta), 39W (Tc)
Csomagolás:Original-Reel®
Csomagolás / tok:PowerPAK® 1212-8
Más nevek:SIS435DNT-T1-GE3DKR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:24 Weeks
Gyártási szám:SIS435DNT-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:5700pF @ 10V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:180nC @ 8V
FET típus:P-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:P-Channel 20V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):1.8V, 4.5V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):20V
Leírás:MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások