megvesz SIR808DP-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | PowerPAK® SO-8 |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 8.9 mOhm @ 17A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 29.8W (Tc) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | 8-PowerTDFN |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | SIR808DP-T1-GE3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 815pF @ 12.5V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 22.8nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 25V 20A (Tc) 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 25V |
Leírás: | MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
Email: | [email protected] |