SIR808DP-T1-GE3
Cikkszám:
SIR808DP-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
17157 Pieces
Adatlap:
SIR808DP-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SIR808DP-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SIR808DP-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SIR808DP-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PowerPAK® SO-8
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:8.9 mOhm @ 17A, 10V
Teljesítményleadás (Max):29.8W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-PowerTDFN
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SIR808DP-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:815pF @ 12.5V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:22.8nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 25V 20A (Tc) 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):25V
Leírás:MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások