megvesz SIR688DP-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.7V @ 250µA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | PowerPAK® SO-8 |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 3.5 mOhm @ 20A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | PowerPAK® SO-8 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 24 Weeks |
Gyártási szám: | SIR688DP-T1-GE3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 3105pF @ 30V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 66nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 60V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 60V |
Leírás: | MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |