SIR403EDP-T1-GE3
SIR403EDP-T1-GE3
Cikkszám:
SIR403EDP-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
12802 Pieces
Adatlap:
SIR403EDP-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SIR403EDP-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SIR403EDP-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SIR403EDP-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.8V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PowerPAK® SO-8
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:6.5 mOhm @ 13A, 10V
Teljesítményleadás (Max):5W (Ta), 56.8W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:PowerPAK® SO-8
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:24 Weeks
Gyártási szám:SIR403EDP-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:4620pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:153nC @ 10V
FET típus:P-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:P-Channel 30V 40A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások