megvesz SIHW73N60E-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | TO-247AD |
Sorozat: | - |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 39 mOhm @ 36A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 520W (Tc) |
Csomagolás: | Tube |
Csomagolás / tok: | TO-247-3 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Through Hole |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 22 Weeks |
Gyártási szám: | SIHW73N60E-GE3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 7700pF @ 100V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 362nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 600V 73A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AD |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 600V |
Leírás: | MOSFET N-CH 600V 73A TO-247AD |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 73A (Tc) |
Email: | [email protected] |