megvesz SIHU3N50D-E3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | TO-251AA |
Sorozat: | - |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 3.2 Ohm @ 2.5A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 69W (Tc) |
Csomagolás: | Tube |
Csomagolás / tok: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Más nevek: | SIHU3N50D-E3CT SIHU3N50D-E3CT-ND |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Through Hole |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 13 Weeks |
Gyártási szám: | SIHU3N50D-E3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 175pF @ 100V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 500V 3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-251AA |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 500V |
Leírás: | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
Email: | [email protected] |