megvesz SIHH11N60EF-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
SIHH11N60EF-T1-GE3
- Cikkszám:
- SIHH11N60EF-T1-GE3
- Gyártó:
- Vishay / Siliconix
- Leírás:
- MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 15399 Pieces
- Adatlap:
- SIHH11N60EF-T1-GE3.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SIHH11N60EF-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SIHH11N60EF-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PowerPAK® 8 x 8 |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 357 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 114W (Tc) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 8-PowerTDFN |
| Más nevek: | SIHH11N60EF-T1-GE3TR |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 20 Weeks |
| Gyártási szám: | SIHH11N60EF-T1-GE3 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1078pF @ 100V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 62nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 600V 11A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 600V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SIHH11N60EF-T1-GE3-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
SIHH11N65E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 650V 12A POWERPAK | Vizsgálat |
 |
SIHH11N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8 | Vizsgálat |
|
SIHH14N65E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 15A PWRPAK 8X8 | Vizsgálat |
|
SIHH11N65EF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK | Vizsgálat |
 |
NTB125N02RT4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK | Vizsgálat |
 |
PSMN017-30EL,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 32A I2PAK | Vizsgálat |
 |
STB35N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 28A | Vizsgálat |
|
SIHH14N60EF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 15A POWERPAK8X8 | Vizsgálat |
 |
IRF6100PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET | Vizsgálat |
 |
AUIRF7805QTR | Infineon Technologies | MOSFET N CH 30V 13A 8-SO | Vizsgálat |
 |
AUIRFP2602 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 24V 180A TO-247AD | Vizsgálat |
|
SIHH14N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8 | Vizsgálat |
|
SIHH14N65EF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog