SIHG47N65E-GE3
SIHG47N65E-GE3
Cikkszám:
SIHG47N65E-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AC
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
13867 Pieces
Adatlap:
SIHG47N65E-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SIHG47N65E-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SIHG47N65E-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SIHG47N65E-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-247AC
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:72 mOhm @ 24A, 10V
Teljesítményleadás (Max):417W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-247-3
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:19 Weeks
Gyártási szám:SIHG47N65E-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:5682pF @ 100V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:273nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 650V 47A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AC
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):650V
Leírás:MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AC
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:47A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások