SIHD3N50D-E3
SIHD3N50D-E3
Cikkszám:
SIHD3N50D-E3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14296 Pieces
Adatlap:
SIHD3N50D-E3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SIHD3N50D-E3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SIHD3N50D-E3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SIHD3N50D-E3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:D-PAK (TO-252AA)
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Teljesítményleadás (Max):69W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:20 Weeks
Gyártási szám:SIHD3N50D-E3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:175pF @ 100V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 500V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):500V
Leírás:MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások