SIHB12N60E-GE3
SIHB12N60E-GE3
Cikkszám:
SIHB12N60E-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
12827 Pieces
Adatlap:
SIHB12N60E-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SIHB12N60E-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SIHB12N60E-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SIHB12N60E-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:D2PAK
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:380 mOhm @ 6A, 10V
Teljesítményleadás (Max):147W (Tc)
Csomagolás:Bulk
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Más nevek:SIHB12N60EGE3
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:19 Weeks
Gyártási szám:SIHB12N60E-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:937pF @ 100V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:58nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 600V 12A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount D2PAK
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):600V
Leírás:MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások