SIE822DF-T1-E3
SIE822DF-T1-E3
Cikkszám:
SIE822DF-T1-E3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14349 Pieces
Adatlap:
SIE822DF-T1-E3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SIE822DF-T1-E3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SIE822DF-T1-E3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SIE822DF-T1-E3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:10-PolarPAK® (S)
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:3.4 mOhm @ 18.3A, 10V
Teljesítményleadás (Max):5.2W (Ta), 104W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:10-PolarPAK® (S)
Más nevek:SIE822DF-T1-E3TR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:24 Weeks
Gyártási szám:SIE822DF-T1-E3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:4200pF @ 10V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:78nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 20V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S)
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):20V
Leírás:MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások