megvesz SIDC09D60E6Y BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
SIDC09D60E6Y
- Cikkszám:
- SIDC09D60E6Y
- Leírás:
- DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólom / RoHS nem megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 17317 Pieces
- Adatlap:
- SIDC09D60E6Y.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SIDC09D60E6Y, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SIDC09D60E6Y e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 1.7V @ 20A |
|---|---|
| Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max): | 600V |
| Szállító eszközcsomag: | Sawn on foil |
| Sebesség: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sorozat: | - |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | 150ns |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | Die |
| Más nevek: | SP000012548 |
| Működési hőmérséklet - csatlakozás: | -55°C ~ 150°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | SIDC09D60E6Y |
| Bővített leírás: | Diode Standard 600V 20A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
| Diódatípus: | Standard |
| Leírás: | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 27µA @ 600V |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io): | 20A (DC) |
| Capacitance @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SIDC09D60E6Y-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
SIDC09D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER | Vizsgálat |
|
SIDC09D60E6 UNSAWN | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | Vizsgálat |
|
SIDC09D60E6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | Vizsgálat |
|
SIDC03D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER | Vizsgálat |
|
SIDC06D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | Vizsgálat |
|
SIDC03D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER | Vizsgálat |
|
SIDC03D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER | Vizsgálat |
|
SIDC04D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 9A WAFER | Vizsgálat |
|
SIDC01D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER | Vizsgálat |
|
SIDC08D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 7A WAFER | Vizsgálat |
|
SIDC03D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER | Vizsgálat |
|
SIDC06D60AC6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog