SIA430DJ-T1-GE3
SIA430DJ-T1-GE3
Cikkszám:
SIA430DJ-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14958 Pieces
Adatlap:
SIA430DJ-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SIA430DJ-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SIA430DJ-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SIA430DJ-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PowerPAK® SC-70-6 Single
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:13.5 mOhm @ 7A, 10V
Teljesítményleadás (Max):3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:PowerPAK® SC-70-6
Más nevek:SIA430DJ-T1-GE3TR
SIA430DJT1GE3
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:24 Weeks
Gyártási szám:SIA430DJ-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 10V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 20V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):20V
Leírás:MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások