megvesz SIA418DJ-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 18 mOhm @ 9A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | PowerPAK® SC-70-6 |
Más nevek: | SIA418DJ-T1-GE3TR SIA418DJT1GE3 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 24 Weeks |
Gyártási szám: | SIA418DJ-T1-GE3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 570pF @ 15V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 4.5V, 10V |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
Leírás: | MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6 |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
Email: | [email protected] |