megvesz SI9433BDY-T1-E3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±12V |
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | 8-SO |
Sorozat: | - |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 40 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
Teljesítményleadás (Max): | 1.3W (Ta) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Más nevek: | SI9433BDY-T1-E3TR SI9433BDYT1E3 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 12 Weeks |
Gyártási szám: | SI9433BDY-T1-E3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 4.5V |
FET típus: | P-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | P-Channel 20V 4.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 2.7V, 4.5V |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 20V |
Leírás: | MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 4.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |