megvesz SI8461DB-T2-E1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±8V |
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | 4-Microfoot |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Teljesítményleadás (Max): | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | 4-XFBGA, CSPBGA |
Más nevek: | SI8461DB-T2-E1TR SI8461DBT2E1 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 24 Weeks |
Gyártási szám: | SI8461DB-T2-E1 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 610pF @ 10V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 24nC @ 8V |
FET típus: | P-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | P-Channel 20V 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 1.5V, 4.5V |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 20V |
Leírás: | MOSFET P-CH 20V MICROFOOT |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | - |
Email: | [email protected] |