SI7703EDN-T1-GE3
SI7703EDN-T1-GE3
Cikkszám:
SI7703EDN-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
13213 Pieces
Adatlap:
SI7703EDN-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI7703EDN-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI7703EDN-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI7703EDN-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 800µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PowerPAK® 1212-8
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):1.3W (Ta)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:PowerPAK® 1212-8
Más nevek:SI7703EDN-T1-GE3TR
SI7703EDNT1GE3
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SI7703EDN-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:-
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 4.5V
FET típus:P-Channel
FET funkció:Schottky Diode (Isolated)
Bővített leírás:P-Channel 20V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):20V
Leírás:MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:4.3A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások