megvesz SI7460DP-T1-E3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | PowerPAK® SO-8 |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 9.6 mOhm @ 18A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 1.9W (Ta) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | PowerPAK® SO-8 |
Más nevek: | Q5555889 SI7460DP-T1-E3-ND SI7460DP-T1-E3TR SI7460DPT1E3 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 16 Weeks |
Gyártási szám: | SI7460DP-T1-E3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 100nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 60V 11A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 4.5V, 10V |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 60V |
Leírás: | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 11A (Ta) |
Email: | [email protected] |