SI7100DN-T1-GE3
SI7100DN-T1-GE3
Cikkszám:
SI7100DN-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
17231 Pieces
Adatlap:
SI7100DN-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI7100DN-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI7100DN-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI7100DN-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PowerPAK® 1212-8
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:3.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):3.8W (Ta), 52W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:PowerPAK® 1212-8
Üzemi hőmérséklet:-50°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SI7100DN-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:3810pF @ 4V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:105nC @ 8V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 8V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):8V
Leírás:MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások