SI6562DQ-T1-GE3
Cikkszám:
SI6562DQ-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
16321 Pieces
Adatlap:
SI6562DQ-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI6562DQ-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI6562DQ-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI6562DQ-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:600mV @ 250µA (Min)
Szállító eszközcsomag:8-TSSOP
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Teljesítmény - Max:1W
Csomagolás:Original-Reel®
Csomagolás / tok:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Más nevek:SI6562DQ-T1-GE3DKR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SI6562DQ-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:-
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 4.5V
FET típus:N and P-Channel
FET funkció:Logic Level Gate
Bővített leírás:Mosfet Array N and P-Channel 20V 1W Surface Mount 8-TSSOP
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):20V
Leírás:MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások