SI6473DQ-T1-GE3
Cikkszám:
SI6473DQ-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14864 Pieces
Adatlap:
SI6473DQ-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI6473DQ-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI6473DQ-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI6473DQ-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:450mV @ 250µA (Min)
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:8-TSSOP
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:12.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):1.08W (Ta)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SI6473DQ-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:-
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:70nC @ 5V
FET típus:P-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:P-Channel 20V 6.2A (Ta) 1.08W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):20V
Leírás:MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:6.2A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások